加速器件

MOS管开通的时候，开启的速度主要取决于二极管的反向特性。

因此MOS管关断的时间需要我们去优化，放电曲线取决于Rgate，Rgate越小则关断越快。下面有好几个方案：

1.二极管关断电路

这是最简单的加速电路。Rgate调整着MOS管的开启速度，当关断的时候，由二极管短路电阻，此时G极电流最小为：Imin=Vf/Rgate。

此电路的优点是大大加速了关断的速度，但是它仅在电压高的时候工作，且电流仍旧流向驱动器。

2.PNP关断电路

这是最流行和通用的电路，利用PNP的管子，在关断期间，源极和栅极被短路了。二极管提供了开启时候的电流通路（并且有保护PNP管子eb免受反向电压的影响），Rgate限制了开启的速度。

电路的最大的好处是放电电流的尖峰被限制在最小的环路中，电流并不返回至驱动器，因此也不会造成地弹的现象，驱动器的功率也小了一半，三极管的存在减小了回路电感。仔细看这个电路其实是图腾柱结构的简化，电路的唯一的缺点是栅极电压并不释放到0V，而是存在EC极的压差。

3.NPN关断电路

优点和上面的PNP管子相同，缺点是加入了一个反向器，加入反向器势必会造成延迟。

4.NMOS关断电路

这个电路可以使得MOS管关断非常快，并且栅极电压完全释放至零电压。不过小NMOS管子需要一个方向电压来驱动。问题也存在，NMOS的Coss电容和主MOS管的CISS合成变成等效的电容了