为制造二极管，我们只能在隔离的区域内进行掺杂，而不是在整个圆片上进行掺杂。此外，还需要在器件上制作接触和互连。本节讲述怎样利用光刻在圆片上制造微小精确的结构。光刻中，用具有精确限制结构的掩膜在各步工艺中阻挡圆片的某些部分。

  我们来看看怎样制作简单的二极管(图1)，p型图片覆盖上一层氧化层，接着是一层光刻胶，如图(a)，光刻胶是光敏有机化合物，通常旋涂到硅片上。经光照射会发生化学反应，对于正胶，显影会去除曝光后的光刻胶。对于负胶，显影会去除没有曝光的部分。加上掩膜版，只有在掩膜版透明的地方光刻胶才会被曝光。然后显影，在光刻胶上留下图形。

  接下来，圆片放在离子注入机中。施主离子注入氧化层(后面会被去除)和衬底中。半导体被离子轰击的地方成为n型。这样，n+阱就在p型衬底上生成。注意施主的注入数目必须超过背景受主浓度，才能使注入区成为n型。

  下一步，生成新的氧化层，这一层用另一个掩膜来限制离子注入，生成p型欧姆接触的p+层。

  生长另一层氧化层，再在圆片上旋涂一层光刻胶。采用第三层掩膜版，形成制作接触的两个孔，当生成下一层金属时，通过前面剩下的氧化层和p型衬底绝缘。

  最后形成金属图形，制作p区和n区的电接触。接触通过氧化层上的通孔形成。

图(a) 生长硅氧化层，覆盖光刻胶。	图(b) 通过掩膜曝光。
图(c) 光照改变曝光区的光刻胶的化学特性。	图(d) 曝光后的光刻胶以及下面的层被刻蚀掉。
图(e) 离子注入磷原子，留下(f)中所示的n+结构。
图(g) 淀积新的氧化层，用掩膜在氧化层上开孔。	图(h) 用二次离子注入形成p+接触层。
图(i) 用第三个掩膜在氧化层上形成图形。	图(j) 刻蚀形成接触孔。
图(k) 整个圆片上淀积一层金属。	图(I) 用另一个掩膜在金属上形成图形。
图(m) 最终的器件有两个接触，一个连接n区，一个连接p衬底。

   图2中是用来制作16M比特的存储器芯片的其中一个掩膜。掩膜版制作的比较大，再经过投影缩小