低压MOS管种类还是很多，低压从名字看就是看电压分类的，低电压的MOS管，主要有20V到200V，-20V到-100V的居多，其他的一些也有，但是不常见。

   常用的低压MOS管有如下型号：RY10N10  TO-252封装， 10A 100MR内阻 100V电压，RY20N10,RY15N10 TO-252封装，RY1006  SOP-8封装，10A 60V  11MR内阻， RY50N06  TO-252封装，50A 11MR内阻60V.RY60N03 TO-252封装，RY30N03,RY40N03 RY20N03 都是TO-252封装的。RY120N04  120A  40V  TO-252，可代替新洁能NCE40H12K,完美代替。RY100N03 TO-252，这里因为型号太多，就不一一列举。

        低压MOS管四大重要参数:1、电压规格(VDSS) 2、电流规格(In) 3、mos饱和导通电阻(RDS(ON)) 4、封装形式 低压MOS管

         四大选型要点

1、用N沟道orP沟道 选择好MOS管器件的首要一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

2、确定MOS管的额定电流 该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的很大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的很大电流，只需直接选择能承受这个很大电流的器件便可。

3、选择MOS管的下一步是系统的散热要求 须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。

4、选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能 影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。