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    1N5408二极管参数及作用
  • 1N5408二极管参数及作用
  •   发布日期: 2021-11-08  浏览次数: 7,437

    1N5408二极管参数

    二极管类型:标准恢复

    电压, Vrrm:1000V

    电流, If 平均:3A

    正向电压 Vf 最大:1.2V

    电流, Ifs 最大:200A

    封装形式:DO-201AD

    针脚数:2

    封装类型:DO-201AD

    正向电压, 于If:1.2V

    电流, Ifsm:200A

    结温, Tj 最高:150°C

    表面安装器件:轴向引线

    首选我们来看下整流二极管的作用

    整流二极管的作用具有明显的单向导电性。整流二极管可采用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的作用可以有效的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能优良。整流二极管的作用是利用PN结单向导电特性,把交流电转变成脉动直流电。整流二极管的电流较大,大多采用面接触性料封装。那么整流二极管的作用主要有哪些呢?下面就是小编对于整流二极管的作用的具体介绍。

    1、正向性

    整流二极管的作用最为突出的就是其正向性,整流二极管外加正向电压时,正向特性起始部分中的正向电压很小,不能有效的克服PN结内电场的阻挡作用,当整流二极管的正向电流几乎为零,这一段称为死区,不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当整流二极管正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被有效克服,整流二极管的正向导通,电流随电压增大而快速上升。在正常的电流范围内,导通时整流二极管端电压几乎维持不变。

    2、反向性

    整流二极管的作用中的反向性,是当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时,通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流。由于整流二极管的作用反向电流很小,整流二极管处于截止状态。整流二极管的反向饱和电流受温度影响。一般硅整流二极管的作用反向电流比锗整流二极管的作用小得多,小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗整流二极管在μA数量级。当整流二极管温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目也会增加。

    3、反向击穿

    整流二极管的作用中的反向击穿,反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下,整流二极管因势垒区宽度很小,反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构,使电子脱离共价键束缚,产生电子空穴,整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时,外加电场会使电子漂移速度加快,从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子空穴对。

    1n5408二极管作用

    1N5408是低频整流二极管,拥有所有整流二极管的特性。只能用在1000Hz以下的低频电路中做整流用。用在高频开关电源上肯定是要因高热而损坏的。快恢复二极管 可以用 FR307,FR508等 FR系列或其他系列 快恢复二极管。


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