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10A、800V N沟道增强型场效应管
描述
SVF10N80F/K N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士
兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元
胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
10A，800V，RDS(on)(典型值)=0.92@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
注：
1. L=30mH，IAS=7.50A，VDD=100V，RG=25，开始温度TJ=25C;
2. VDS=0~400V，ISD<=10A， TJ=25C;
3. VDS=0~480V;
4. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
5. 基本上不受工作温度的影响。
品牌介绍：
杭州士兰微电子股份有限公司（600460）坐落于杭州高新技术产业开发区，是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月，总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易，是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。得益于中国电子信息产业的飞速发展，士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体（IDM）的企业之一，其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。
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