SGT 中文全称：屏蔽栅沟槽。英文全称：Shield Gate Trench。 屏蔽栅/分立栅MOSFET技术(Shield Gate Trench MOSFET)，MOS器件第一个深沟槽(Deep Trench)作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻(RSP)和栅极电荷(Qg)。第二个源极沟槽(Source Trench)作为有源区接触电极，该设计能减小原胞尺寸(Pitch Size)和改善器件比导通电阻，有利于提高器件高温、大电流能力及EAS能力。第三个栅极沟槽(Gate Trench)作为有栅极接触电极，该设计能优化器件MOS工艺流程，降低产品生产成本，同时提高产品良率。

       SGT技术优势，具体体现：

优势1：提升功率密度

SGT结构相对传统的Trench结构，沟槽挖掘深度深3-5倍，可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻（Specific Resistance），例如相同的封装外形PDFN5*6，采用SGT芯片技术，可以得到更低的导通电阻。

优势2：极低的开关损耗

SGT相对传统Trench结构，具有低Qg 的特点。屏蔽栅结构的引入，可以降低MOSFET的米勒电容CGD达10倍以上，有助于降低器件在开关电源应用中的开关损耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流应用中抑制shoot-through的关键指标，采用SGT结构，可以获得更低的CGD/CGS比值。

优势3：更好的EMI优势

SGT MOS结构中的内置电阻电容缓冲结构，可以抑制DS电压关断时的瞬态振荡，开关电源应用中，SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡，进一步降低应用风险。