整流二极管的结构示意图如下：

       整流二极管的作用具有明显的单向导电性。整流二极管可采用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的作用可以有效的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能优良。整流二极管的作用是利用PN结单向导电特性，把交流电转变成脉动直流电。整流二极管的电流较大，大多采用面接触性料封装。那么整流二极管的作用主要有哪些呢？下面就是小编对于整流二极管的作用的具体介绍。

1、正向性

整流二极管的作用最为突出的就是其正向性，整流二极管外加正向电压时，正向特性起始部分中的正向电压很小，不能有效的克服PN结内电场的阻挡作用，当整流二极管的正向电流几乎为零，这一段称为死区，不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当整流二极管正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被有效克服，整流二极管的正向导通，电流随电压增大而快速上升。在正常的电流范围内，导通时整流二极管端电压几乎维持不变。

2、反向性

整流二极管的作用中的反向性，是当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时，通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流。由于整流二极管的作用反向电流很小，整流二极管处于截止状态。整流二极管的反向饱和电流受温度影响。一般硅整流二极管的作用反向电流比锗整流二极管的作用小得多，小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗整流二极管在μA数量级。当整流二极管温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目也会增加。

3、反向击穿

整流二极管的作用中的反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下，整流二极管因势垒区宽度很小，反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构，使电子脱离共价键束缚，产生电子空穴，整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加快，从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子空穴对。

以下是用于电路中的实例介绍：

整流二极管的作用一- -用于半波整流电路中

如下图所示单相半波整流电路由电源变压器、整流二极管、负载电阻组成。其中，电源变压器首先将市电电压转变为所需交变电压u2，整流二级管再将交流电转变为直流电。

整流二极管的作用二- -用于全波整流电路中

如下图所示全波整流电路中，包含两个整流二极管，因此全波整流电路可以看作是由两个半波整流电路组合而成的，在变压器次级线圈中间引出一个抽头，将次级线圈分为两个对称的绕组，从而引出两个大小相反、极性相同的电压。两个整流元件轮流导电，使得负载电阻在正负两个半周作用期间，都有电流通过，从而大大提高了整流效率。

整流二极管的作用三- -用于桥式整流电路中

如下图所示桥式整流电路中，包含四个整流二极管，二极管首尾相连组成桥式结构。这种整流电路具有全波整流电路的优点，即具有比半波整流电路大一倍的整流效率，又克服了全波整流电路的缺点，使得每个整流二极管承受的反向电压仅为全波整流电路的一半。