P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。

P-MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差低于阈值时，S极和D极导通。

在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在VCC，从而达到控制P-MOS管的开和关的效果，在S极和D极导通后，导通电阻Rds(on)极小，一般是几十毫欧级，电流流通后，形成的压降很小。

1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V

如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw

那么mos管不导通，D为0V，

所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。

GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。

2、P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反
通俗的讲给箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。