耗尽型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)与增强型MOSFET有着同样的栅极结构，所不同是，在常态下，它内部的（导电）沟道是天生的。换言之，常态下的耗尽型MOSFET是导通的，这一点与JFET相同，所不同的是二者的栅极结构。

耗尽型MOSFET也有N沟道与P沟道两种，以P沟道较为常见。横向沟道的耗尽型MOSFET的结构简图如图1.22所示，也有垂直沟道的产品。P沟道的只需要将结构图中的“P"与“N”对调即可。

   目前市场上只能见到小功率耗尽型MOSFET产品，电压规格为500V左右，比JFET要高得多。