寄生二极管作用

当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管。（起到保护MOS管的作用）

沟槽Trench型N沟道增强型功率MOSFET的结构如下图所示，在N-epi外延层上扩散形成P基区，然后通过刻蚀技术形成深度超过P基区的沟槽，在沟槽壁上热氧化生成栅氧化层，再用多晶硅填充沟槽，利用自对准工艺形成N+源区，背面的N+substrate为漏区，在栅极加上一定正电压后，沟槽壁侧的P基区反型，形成垂直沟道。

由美国aos万代半导体代理泰德兰电子提供的下图结构中可以看到，P基区和N-epi形成了一个PN结，即MOSFET的寄生体二极管。

MOSFET剖面结构

体二极管主要参数

二极管特性测试电路

二极管恢复曲线

MOSFET体二极管反向恢复过程波形

MOSFET体二极管应用场合

1、全桥逆变电路

2、三相桥电路

3、LLC半桥谐振电路ZVS

4、移相全桥PSFB ZVS

5、HID照明（ZVS）

MOSFET体二极管应用分析

1、MOSFET体二极管反向恢复

2、LLC半桥谐振变换器

3、LLC电压增益

4、LLC变换器 ZVS状态下模态切换

LLC变换器工作波形

LLC启动过程 - 二极管反向恢复

HID照明电源（带载切换成开路）