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    开关电源的原理及应用,开关电源设计原理入门
  • 开关电源的原理及应用,开关电源设计原理入门
  •   发布日期: 2021-08-16  浏览次数: 1,316
    第一部分:功率电子器件 
    第一节:功率电子器件及其应用要求
    功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。 这些设备都是自动化系统中必不可少的,因此,我们了解它们是必要的。
    近年来,随着应用日益高速发展的需求,推动了功率电子器件的制造工艺的研究和 发展,功率电子器件有了飞跃性的进步。器件的类型朝多元化发展,性能也越来越改善。
    大致来讲,功率器件的发展,体现在如下方面:
    1. 器件能够快速恢复,以满足越来越高的速度需要。以开关电源为例,采用双极型
    晶体管时,速度可以到几十千赫;使用 MOSFET 和 IGBT,可以到几百千赫;而采用 了谐振技术的开关电源,则可以达到兆赫以上。
    2. 通态压降(正向压降)降低。这可以减少器件损耗,有利于提高速度,减小器件 体积。
    3. 电流控制能力增大。电流能力的增大和速度的提高是一对矛盾,目前最大电流控 制能力,特别是在电力设备方面,还没有器件能完全替代可控硅。
    4. 额定电压:耐压高。耐压和电流都是体现驱动能力的重要参数,特别对电力系统, 这显得非常重要。
    5. 温度与功耗。这是一个综合性的参数,它制约了电流能力、开关速度等能力的提 高。目前有两个方向解决这个问题,一是继续提高功率器件的品质,二是改进控 制技术来降低器件功耗,比如谐振式开关电源。
    总体来讲,从耐压、电流能力看,可控硅目前仍然是最高的,在某些特定场合,仍 然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合,功率电子器件已越来越 多地使用 MOSFET 和 IGBT,特别是 IGBT 获得了更多的使用,开始全面取代可控硅来做为 新型的功率控制器件。

    第二节:功率电子器件概览 
    一. 整流二极管:
    二极管是功率电子系统中不可或缺的器件,用于整流、续流等。目前比较多地使用 如下三种选择:
    1. 高效快速恢复二极管。压降 0.8-1.2V,适合小功率,12V 左右电源。
    2. 高效超快速二极管。0.8-1.2V,适合小功率,12V 左右电源。
    3. 肖特基势垒整流二极管SBD。0.4V,适合 5V等低压电源。缺点是其电阻和耐压
    的平方成正比,所以耐压低(200V以下),反向漏电流较大,易热击穿。但速度 比较快,通态压降低。
    目前 SBD 的研究前沿,已经超过 1 万伏。 
    二.大功率晶体管GTR
        分为:
    单管形式。电流系数:10-30。 
    双管形式——达林顿管。电流倍数:
    100-1000。饱和压降大,速度慢。下图虚线部 分即是达林顿管。

    图1-1:达林顿管应用
    实际比较常用的是达林顿模块,它把 GTR、续流二极管、辅助电路做到
    一个模块内。在较早期的功率电子设备中,比较多地使用了这种器件。图 1-2 是这种器件的内部典型结构。
     
     
     
     
     
    图1-2:达林顿模块电路典型结构
    两个二极管左侧是加速二极管,右侧为续流二极管。加速二极管的原理是引进了电 流串联正反馈,达到加速的目的。
    这种器件的制造水平是 1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz 左右(参考)。 
    三. 可控硅 SCR
    可控硅在大电流、高耐压场合还是必须的,但在常规工业控制的低压、中小电流控 制中,已逐步被新型器件取代。
    目前的研制水平在 12KV/8000A 左右(参考)。 
    由于可控硅换流电路复杂,逐步开发了门极关断晶闸管GTO。制造水平达到 8KV/8KA,
    频率为 1KHz左右。
    无论是 SCR 还是 GTO,控制电路都过于复杂,特别是需要庞大的吸收电路。而且,
    速度低,因此限制了它的应用范围拓宽。 
    集成门极换流晶闸管IGCT和MOS关断晶闸管之类的器件在控制门极前使用了MOS栅,
    从而达到硬关断能力。 

    四. 功率 MOSFET
    又叫功率场效应管或者功率场控晶体管。 
    其特点是驱动功率小,速度高,安全工作区宽。但高压时,导通电阻与电压的平方
    成正比,因而提高耐压和降低高压阻抗困难。 
    适合低压 100V 以下,是比较理想的器件。
    目前的研制水平在 1000V/65A 左右(参考)。商业化的产品达到 60V/200A/2MHz、 500V/50A/100KHz。是目前速度最快的功率器件。
    五. IGBT
    又叫绝缘栅双极型晶体管。
    这种器件的特点是集 MOSFET 与 GTR 的优点于一身。输入阻抗高,速度快,热稳定性
    好。通态电压低,耐压高,电流大。 
     目前这种器件的两个方向:一是朝大功率,二是朝高速度发展。大功率 IGBT 模块达 到 1200-1800A/1800-3300V 的水平(参考)。速度在中等电压区域(370-600V),可达 到 150-180KHz。
    它的电流密度比 MOSFET 大,芯片面积只有 MOSFET 的 40%。但速度比 MOSFET 低。
    尽管电力电子器件发展过程远比我们现在描述的复杂,但是 MOSFET 和 IGBT,特别 是 IGBT 已经成为现代功率电子器件的主流。因此,我们下面的重点也是这两种器件。 

    如需要查看更多详细,请点击 开关电源设计原理入门


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