FM5497（富满微 单节高压锂电保护 IC）

FM5497 是单串锂电池保护芯片，支持4.425V 高压锂电（4.4V 体系），封装 DFN-6L（1.4×1.4mm，超小贴片），用于单节锂钴 / 锂聚合物高压电芯保护，内置电压、电流、短路保护，支持0V 零伏充电富满微电子...。 👉 和前面 FM3513 / TC3341 区别：FM3513、TC3341 是均衡 IC；FM5497 是单串锂电保护 IC，负责过充、过放、过流、短路保护。

一、核心电气参数

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二、功能说明

FM5497 搭配外部两颗 N-MOS（充电 MOS + 放电 MOS）组成单串 BMS 保护回路：

1. 过充保护：电芯电压上升到 4.425V，延时后关闭充电 MOS，停止充电；电压回落至 4.225V 自动解除保护。
2. 过放保护：电芯放电跌到 2.5V，关闭放电 MOS，防止电芯深度放电损坏；电压回升到 3.0V 解除。
3. 放电过流保护：放电回路电流采样电阻上压降≥35mV，触发保护，关断放电 MOS。
4. 充电过流保护：充电方向电流，采样电阻压降≤-20mV 触发充电过流保护。
5. 短路保护：输出短路，采样电压低于 0.15V，快速锁断输出。
6. 0V 充电：电芯亏电到 0V，芯片依然允许小电流充电，救活亏电电芯。

三、引脚定义（DFN-6L）

1. VDD：电池正极
2. VSS：电池负极
3. DO：放电 MOS 驱动
4. CO：充电 MOS 驱动
5. VM：电流检测端（接 CS 采样电阻）
6. NC：空脚

四、典型应用场景

• 单节 4.4V 高压锂聚合物电池包
• TWS 耳机电池、智能手表、智能手环
• 电子烟、智能穿戴设备
• 小型医疗设备、便携传感器电池
• 小型 LED 灯具、手持美容仪

❗注意：不是 4.2V 普通三元锂，是 4.4V 高压锂电；不要和普通 4.2V 保护 IC 混用。

五、外围 BOM（单串方案）

1. FM5497
2. 2 颗低压 N-MOS（CO、DO 驱动）
3. 电流采样电阻 Rsense：根据设定保护电流取值
4. VDD-VSS 并联 0.1μF 滤波电容
5. 可选：ESD 保护器件

六、设计要点

1. VM 引脚走线短，采样电阻紧靠 VM 与 VSS，降低采样误差；
2. MOS 管选用低 Rds (on) N-MOS，降低导通损耗；
3. 芯片封装很小（1.4*1.4 DFN），PCB 焊盘要做好，注意虚焊；
4. 采样电阻功率要留余量，大电流方案发热需要评估；
5. 支持 0V 充电，适合产品容易深度亏电的场景。

七、FM5497 对比你前面看的 FM3513 / TC3341

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选型区分：

• 单节电池保护 → FM5497；
• 2~7 串多串 PACK，需要电芯压差均衡 → FM3513 / TC3341（均衡芯片，必须额外加多串保护 IC）。

八、优缺点

✅优点

1. 支持 4.4V 高压锂电，适合穿戴高能量密度电芯；
2. 0V 充电，亏电电池可恢复；
3. 极小 DFN 封装，适合空间紧张小型消费电子产品；
4. 保护阈值精度高，集成全套保护。

❌缺点

1. 仅单串保护，不能用于 2 串及以上 PACK；
2. DFN 小封装，SMT 焊接难度高；
3. 需要外接两颗 MOS 管和采样电阻。

FM5497 电路应用（富满微 单串 4.4V 高压锂电保护 IC，DFN-6L 1.4×1.4mm）

重要：FM5497 只用于单节 4.4V 高压锂聚合物 / 三元锂电，不能用于 4.2V 普通锂电，不能用于 2 串及以上 PACK；芯片驱动 2 颗 N-MOS（充电管 + 放电管）构成 BMS 保护回路，具备 0V 充电功能富满微电子...。

一、引脚定义（DFN-6L）

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二、典型电路连接（文字原理图）

B+（电芯正极） → FM5497 VDD
B-（电芯负极） → FM5497 VSS
VDD ←→ VSS 并联 C1=0.1μF 陶瓷滤波电容

FM5497 DO → 放电MOS（M2）G极
FM5497 CO → 充电MOS（M1）G极

M1（充电NMOS）S极 → B-
M1 D极 → M2 S极
M2（放电NMOS）D极 → 输出负极 P-

采样电阻 Rsense 跨接在：B- ↔ VM引脚
VM引脚直接接Rsense靠近B-一侧

电池输出：B+ 为P+；M2 D极为P-

M1 充电 MOS、M2 放电 MOS，两颗都是低压 N 沟道 MOS，推荐 20V 耐压、低 Rds (on)，如 AO3400。

BOM 清单（单串保护板）

1. FM5497（DFN-6L）
2. M1：充电 NMOS
3. M2：放电 NMOS
4. Rsense 电流采样电阻：根据保护电流选型
   • 过流阈值 35mV，例：需要 2A 放电过流，Rsense=35mV/2A=17.5mΩ，功率预留余量
5. C1：0.1μF MLCC，VDD-VSS 之间滤波
6. 可选：ESD 器件并联在 P+、P - 端口

三、电路工作逻辑

1. 正常充放电 CO、DO 输出高，M1、M2 全部导通；电池可以充电、对外放电。
2. 过充保护（4.425V） 电芯电压≥4.425V，内部延时后，CO 拉低，关闭充电 MOS M1，停止充电；电压回落至 4.225V 自动解除。
3. 过放保护（2.50V） 电芯电压≤2.50V，延时后DO 拉低，关闭放电 MOS M2，禁止放电；电压回升至 3.0V 解除。
4. 放电过流保护 放电电流在 Rsense 产生压降≥35mV → DO 拉低，关断放电 MOS。
5. 充电过流保护 充电方向，Rsense 压降≤-20mV → CO 拉低，关闭充电 MOS。
6. 短路保护 P+P - 短路，VM 检测电压低于 0.15V，快速锁断放电 MOS，保护电芯。
7. 0V 充电功能 电芯深度亏电到 0V，芯片仍允许小电流充电，可救活亏电电芯。

四、PCB 布局设计要点（重点，DFN 小封装）

1. VM 采样走线必须短：Rsense 紧贴 B - 与 VM 引脚，减少引线电阻，防止电流采样不准；
2. MOS 管放在 B - 到 P - 功率通路上，功率走线加粗，降低导通损耗与发热；
3. C1（0.1μF）紧贴 FM5497 的 VDD/VSS 引脚，就近放置，抑制电源噪声；
4. DFN-6L（1.4×1.4mm）焊盘设计：必须做散热焊盘，开窗 + 多过孔到内层 GND，防止焊接虚焊、热失效；
5. CO、DO 栅极走线尽量短，远离功率大电流走线，避免干扰误触发 MOS；
6. 功率回路 B- → Rsense → M1 → M2 → P-，走线加宽，减少压降。

五、适用产品场景

• TWS 耳机电池、智能手表、手环（4.4V 高压锂聚合物电芯）
• 电子烟、小型美容仪、便携传感器
• 小型 LED 灯具、微型医疗设备单节锂电

❗禁止场景：

1. 4.2V 普通三元锂、磷酸铁锂；
2. 2 串 / 多串电池 PACK（FM5497 只有单串电压检测）；
3. 大电流动力电池，MOS 和采样电阻发热要仔细评估。

六、调试步骤

1. 空载：B+、B - 接 4.2V 电芯，测量 VDD = 电池电压，CO、DO 高电平，M1/M2 导通，P+P - 输出等于电池电压；
2. 过充测试：电源抬升到 4.425V，延时后 CO 变低，充电 MOS 关闭，P - 不再吸入充电电流；电压降到 4.225V 恢复；
3. 过放测试：拉低电池电压到 2.5V，DO 变低，放电 MOS 关断，P - 无放电输出；回升至 3.0V 恢复；
4. 短路测试：P+P - 短接，快速触发短路保护，锁断输出；移除短路后重新上电恢复；
5. 0V 充电测试：电芯 0V，接入充电器，芯片允许小电流对电池充电。

七、常见电路坑点

1. ❌ VM 走线过长：采样电阻引线带来额外压降，导致过流保护点不准；
2. ❌ DFN 焊盘设计不良：虚焊，工作间歇性保护；
3. ❌ MOS 耐压不足：推荐≥20V 低压 NMOS，不可用低压管子；
4. ❌ 采样电阻功率不够：大电流下电阻发热烧毁；
5. ❌ 直接用在 4.2V 电芯：虽然可以工作，但属于高压保护 IC，阈值不匹配，不推荐。

八、和前面几颗芯片简单区分

• FM5497：单串保护 IC，负责过充 / 过放 / 过流 / 短路，单节 4.4V 高压锂电
• FM3513：均衡 IC，多串 PACK 被动均衡，4.2V 三元锂，内置开关
• TC3341：均衡控制器，多串 PACK 被动均衡，4.2V 三元锂，外置 NMOS