CW1143CLAS(赛微 CW1143C‑CLAS)应用电路
CW1143CLAS:SSOP‑28,11‑14 串锂离子硬件保护芯片,过充 4.25V,过放 2.70V,带被动均衡、充放电过流、短路、NTC 温度保护、断线检测、电子锁,两轮车 / 锂电包硬件 BMS 保护 IC广东赛微微...。
重要:CLAS 为锂电版本;CLBS 参数略有差异,不要混用。
一、关键引脚简要(SSOP‑28)广东赛微微...
表格
| 引脚 |
名称 |
说明 |
| 28 |
VDD |
芯片电源,接电池总正 PACK+ |
| 1 |
VSS |
芯片地,接电池总负 B‑ |
| 2‑15 |
VC1~VC14 |
电芯电压采样,VC1 接 B‑侧第一节,VC14 接最高电芯;每串串 100R 电阻,VCx‑VSS 并 0.1μF |
| 16 |
VM |
充放电端口检测,禁止接电容,接 PACK‑ |
| 17 |
CS |
电流采样,接采样电阻 Rcs 两端,RC‑R 结构 |
| 18 |
CIT |
过流延时电容,典型 0.1μF;决定过流 1 / 过流 2 延时 |
| 19 |
SEL |
串数选择电阻到 VSS:11 串 10k;12 串 200k;13 串 510k;14 串悬空 |
| 20 |
RCOT |
充电高温保护设置电阻 |
| 21 |
RDOT |
放电高温保护设置电阻 |
| 22 |
RUT |
充放电低温保护设置电阻 |
| 23 |
CO |
充电 MOS 驱动输出 |
| 24 |
DO |
放电 MOS 驱动输出 |
| 25 |
CCTL |
充电控制(可选电子锁) |
| 26 |
DCTL |
放电控制(电子锁) |
| 27 |
CIT |
保留 |
二、14 串同口典型应用电路要点(最常用)广东赛微微...
充放电同口:PACK + 为总正;PACK‑为充放电公共负端;采样电阻 Rcs 串联在 B‑与 PACK‑之间。
- 电芯采样回路 VC1‑VC14
- 每一路 VCx → 串联100Ω 电阻接到对应电芯正极;
- VCx 与 VSS 之间对地并联0.1μF MLCC;
- 14 串模式:SEL 引脚悬空;
- 少于 14 串:多余高位 VC 引脚相互短接,SEL 接对应电阻到 VSS。
-
功率 MOS 部分(N 沟 MOS)
- CO → 充电 MOS 管 G 极;DO → 放电 MOS 管 G 极;
- MOS G‑S 之间必须并联100kΩ 下拉电阻;
- 充电 MOS、放电 MOS 源极接在一起,接到
PACK‑;漏极接采样电阻 Rcs。
功率 MOS 选型:耐压≥80V,根据电流选 Rdson。
- 电流采样 CS 引脚(RC‑R 网络)
- Rcs 功率采样电阻放在 B‑ ↔ PACK‑之间;
- CS 引脚:CS + 接 Rcs 靠近 B‑侧;CS‑接 Rcs 靠近 PACK‑侧;
- 每一路串联 100Ω 电阻,CS + 与 CS‑之间并联 0.1μF 电容(RCR 滤波);
- VM 引脚直接接 PACK‑,严禁对地接电容。
- 延时设置 CIT 引脚
- CIT 到 VSS 接0.1μF,过流 1≈1.1s、过流 2≈110ms; 如需改延时:0.01μF (110ms/11ms) /0.22μF (2.4s/240ms) /1μF (11s/1.1s)。
- NTC 温度保护电路(103AT NTC,B=3435)
- NTC 放置在电池包内部;NTC 一端接 VSS,另一端分别接 RCOT/RDOT/RUT 引脚;
- RCOT、RDOT、RUT 引脚分别上拉电阻到 VDD,电阻阻值按目标温度对应的 NTC 阻值 ×10 倍取值;
- 不需要某一路温度保护:对应引脚悬空。
- 均衡电路 芯片内部集成被动均衡开关,VCx 采样引脚内部实现均衡;外部只需要采样电阻电容,不需要外接均衡 MOS。
- 电子锁功能(DCTL/CCTL) DCTL/CCTL 引脚串联 200k 电阻接外部开关,开关另一端接 VSS;开关断开:锁闭输出;开关闭合到 VSS:恢复输出。不需要电子锁:DCTL、CCTL 直接短接到 VSS。
- 电源 VDD‑VSS VDD 到 VSS:并联 1μF+0.1μF 陶瓷电容。
三、关键器件参数 CW1143CLAS 电气阈值广东赛微微...
- 过充保护 VOC:4.250V,延时 1s;过充解除 VOCR:4.150V
- 过放保护 VOD:2.700V,延时 1s;过放解除 VODR:3.000V
- 均衡开启 VBAL:4.125V
- 休眠电流典型:8μA
四、硬件设计注意事项(非常重要)广东赛微微...
- VM 引脚禁止加电容,加电容会导致充电器 / 负载识别异常。
- VC 采样线必须串 100Ω 电阻,防止电芯断线损坏芯片。
- CS 采样电阻功率留余量,采样走线要 Kelvin 四线采样,不要功率走线共用采样路径。
- MOS 管 GS 必须下拉 100k,防止上电 MOS 误触发。
- SEL 串数电阻必须严格匹配;多的高位 VC 引脚必须短接,否则保护误动作。
- 所有 0.1μF 电容用 X7R MLCC,靠近芯片引脚摆放。
- 芯片 VDD 最大 70V,绝对不能超过。
五、获取官方完整原理图 PDF
官方 datasheet CW1143C‑DS V1.0 第 16‑19 页,包含完整 14 串同口原理图、电子锁版本原理图,可去赛微微电官网下载原始 PDF 文件广东赛微微...。
如果你告诉我:你要做几串(11/12/13/14 串)、同口还是异口、要不要电子锁、采样电阻阻值,我可以帮你整理一份精简版器件 BOM 清单。
⚠️提示:BMS 硬件电路涉及高压锂电,务必参考原厂手册做验证,不可以直接照抄就量产。
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