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  • CW1143CLAS 多串数锂电池保护芯片
    CW1143CLAS 多串数锂电池保护芯片
  • CW1143CLAS 多串数锂电池保护芯片
  •   发布日期: 2026-09-07  浏览次数: 52

    CW1143CLAS(赛微 CW1143C‑CLAS)应用电路

    CW1143CLAS:SSOP‑28,11‑14 串锂离子硬件保护芯片,过充 4.25V,过放 2.70V,带被动均衡、充放电过流、短路、NTC 温度保护、断线检测、电子锁,两轮车 / 锂电包硬件 BMS 保护 IC广东赛微微...。

    重要:CLAS 为锂电版本;CLBS 参数略有差异,不要混用。

    一、关键引脚简要(SSOP‑28)广东赛微微...

    表格

    引脚 名称 说明
    28 VDD 芯片电源,接电池总正 PACK+
    1 VSS 芯片地,接电池总负 B‑
    2‑15 VC1~VC14 电芯电压采样,VC1 接 B‑侧第一节,VC14 接最高电芯;每串串 100R 电阻,VCx‑VSS 并 0.1μF
    16 VM 充放电端口检测,禁止接电容,接 PACK‑
    17 CS 电流采样,接采样电阻 Rcs 两端,RC‑R 结构
    18 CIT 过流延时电容,典型 0.1μF;决定过流 1 / 过流 2 延时
    19 SEL 串数选择电阻到 VSS:11 串 10k;12 串 200k;13 串 510k;14 串悬空
    20 RCOT 充电高温保护设置电阻
    21 RDOT 放电高温保护设置电阻
    22 RUT 充放电低温保护设置电阻
    23 CO 充电 MOS 驱动输出
    24 DO 放电 MOS 驱动输出
    25 CCTL 充电控制(可选电子锁)
    26 DCTL 放电控制(电子锁)
    27 CIT 保留

    二、14 串同口典型应用电路要点(最常用)广东赛微微...

    充放电同口:PACK + 为总正;PACK‑为充放电公共负端;采样电阻 Rcs 串联在 B‑与 PACK‑之间

    1. 电芯采样回路 VC1‑VC14
      • 每一路 VCx → 串联100Ω 电阻接到对应电芯正极;
      • VCx 与 VSS 之间对地并联0.1μF MLCC
      • 14 串模式:SEL 引脚悬空;
      • 少于 14 串:多余高位 VC 引脚相互短接,SEL 接对应电阻到 VSS。
    2. 功率 MOS 部分(N 沟 MOS)

      • CO → 充电 MOS 管 G 极;DO → 放电 MOS 管 G 极;
      • MOS G‑S 之间必须并联100kΩ 下拉电阻
      • 充电 MOS、放电 MOS 源极接在一起,接到PACK‑;漏极接采样电阻 Rcs。

      功率 MOS 选型:耐压≥80V,根据电流选 Rdson。

    3. 电流采样 CS 引脚(RC‑R 网络)
      • Rcs 功率采样电阻放在 B‑ ↔ PACK‑之间;
      • CS 引脚:CS + 接 Rcs 靠近 B‑侧;CS‑接 Rcs 靠近 PACK‑侧;
      • 每一路串联 100Ω 电阻,CS + 与 CS‑之间并联 0.1μF 电容(RCR 滤波);
      • VM 引脚直接接 PACK‑,严禁对地接电容
    4. 延时设置 CIT 引脚
      • CIT 到 VSS 接0.1μF,过流 1≈1.1s、过流 2≈110ms; 如需改延时:0.01μF (110ms/11ms) /0.22μF (2.4s/240ms) /1μF (11s/1.1s)。
    5. NTC 温度保护电路(103AT NTC,B=3435)
      • NTC 放置在电池包内部;NTC 一端接 VSS,另一端分别接 RCOT/RDOT/RUT 引脚;
      • RCOT、RDOT、RUT 引脚分别上拉电阻到 VDD,电阻阻值按目标温度对应的 NTC 阻值 ×10 倍取值;
      • 不需要某一路温度保护:对应引脚悬空。
    6. 均衡电路 芯片内部集成被动均衡开关,VCx 采样引脚内部实现均衡;外部只需要采样电阻电容,不需要外接均衡 MOS
    7. 电子锁功能(DCTL/CCTL) DCTL/CCTL 引脚串联 200k 电阻接外部开关,开关另一端接 VSS;开关断开:锁闭输出;开关闭合到 VSS:恢复输出。不需要电子锁:DCTL、CCTL 直接短接到 VSS。
    8. 电源 VDD‑VSS VDD 到 VSS:并联 1μF+0.1μF 陶瓷电容。

    三、关键器件参数 CW1143CLAS 电气阈值广东赛微微...

    • 过充保护 VOC:4.250V,延时 1s;过充解除 VOCR:4.150V
    • 过放保护 VOD:2.700V,延时 1s;过放解除 VODR:3.000V
    • 均衡开启 VBAL:4.125V
    • 休眠电流典型:8μA

    四、硬件设计注意事项(非常重要)广东赛微微...

    1. VM 引脚禁止加电容,加电容会导致充电器 / 负载识别异常。
    2. VC 采样线必须串 100Ω 电阻,防止电芯断线损坏芯片。
    3. CS 采样电阻功率留余量,采样走线要 Kelvin 四线采样,不要功率走线共用采样路径。
    4. MOS 管 GS 必须下拉 100k,防止上电 MOS 误触发。
    5. SEL 串数电阻必须严格匹配;多的高位 VC 引脚必须短接,否则保护误动作。
    6. 所有 0.1μF 电容用 X7R MLCC,靠近芯片引脚摆放。
    7. 芯片 VDD 最大 70V,绝对不能超过。

    五、获取官方完整原理图 PDF

    官方 datasheet CW1143C‑DS V1.0 第 16‑19 页,包含完整 14 串同口原理图、电子锁版本原理图,可去赛微微电官网下载原始 PDF 文件广东赛微微...。

    如果你告诉我:你要做几串(11/12/13/14 串)、同口还是异口、要不要电子锁、采样电阻阻值,我可以帮你整理一份精简版器件 BOM 清单。

    ⚠️提示:BMS 硬件电路涉及高压锂电,务必参考原厂手册做验证,不可以直接照抄就量产。


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