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    分析MOS管的门极驱动电路
  • 分析MOS管的门极驱动电路
  •   发布日期: 2018-11-19  浏览次数: 1,407

    1.直接驱动





      电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡,一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。





      2.互补三极管驱动





      当MOS管的功率很大时,而PWM芯片输出的PWM信号不足已驱动MOS管时,加互补三极管来提供较大的驱动电流来驱动MOS管。PWM为高电平时,三极管Q3导通,驱动MOS管导通;PWM为低电平时,三极管Q2导通,加速MOS管的关断;





      电阻R1和R3的作用是限流和抑制寄生振荡,一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;二极管D1是加速MOS的关断。





      3.耦合驱动(利用驱动变压器耦台驱动)





      当驱动信号和功率MOS管不共地或者MOS管的源极浮地的时候,比如Buck变换器或者双管正激变换器中的MOS管,利用变压器进行耦合驱动如右图:





      驱动变压器的作用:





      1.解决驱动MOS管浮地的问题;





      2.解决PWM信号与MOS管不共地的问题;3.-个驱动信号可以分成两个驱动信号;4.减少干扰。


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