RY4927 双P管，低内阻，SOP封装MOS管，参数：-30V/-30V, 15MR内阻， SOP-8封装

RY4927结合了先进的沟道MOSFET技术和低电阻封装，以提供极低的Rds(on)。这种装置是负载开关和电池保护应用的理想选择。

RY4927核心参数：

漏源电压（Vdss）：-30V 双P管

25°C 时电流-连续漏极：(Id)9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15mΩ@8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：20nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1000pF @ 15V

工作温度：-55°C ~ +150°C（TJ）

功率-最大值：2W

封装：8-SOIC

FET 类型：P-Channel

安装类型：表面贴装型

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