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  • RY4927  双P管,低内阻,SOP封装MOS管代替AO4807L,AO4805L
    RY4927  双P管,低内阻,SOP封装MOS管代替AO4807L,AO4805L
  • RY4927 双P管,低内阻,SOP封装MOS管代替AO4807L,AO4805L
  •   发布日期: 2023-08-23  浏览次数: 510

    RY4927 双P管,低内阻,SOP封装MOS管,参数:-30V/-30V, 15MR内阻, SOP-8封装

    RY4927结合了先进的沟道MOSFET技术和低电阻封装,以提供极低的Rds(on)。这种装置是负载开关和电池保护应用的理想选择。

    1605506567428432

    RY4927核心参数:

    漏源电压(Vdss):-30V 双P管

    25°C 时电流-连续漏极:(Id)9A

    不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15mΩ@8A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1000pF @ 15V

    工作温度:-55°C ~ +150°C(TJ)

    功率-最大值:2W

    封装:8-SOIC

    FET 类型:P-Channel

    安装类型:表面贴装型

    详细资料参数联系我们QQ或者微信获取

     

     


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