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三星公布首款单芯片嵌入式通用闪存
文章来源:未知        发布者:admin

三星电子公布了全球首款单芯片1TB UFS2.1闪存,该款嵌入式闪存标志着智能存储将迈入TB级别。

三星公布首款单芯片嵌入式通用闪存

 

据三星官方介绍,该闪存是将16个堆叠的三星512千兆位(Gb)V-NAND闪存和新开发的专有闪存控制器组合在一起。

三星公布首款单芯片嵌入式通用闪存


相比之前的512G版本,在相同封装尺寸内,1TB的 eUFS解决方案将容量提升了一倍,新的eUFS速度高达1000MB/s,随机读写分别为58000 IOPS和50000 IOPS,相比512GB提升38%。

三星公布首款单芯片嵌入式通用闪存

同时这也意味着三星今年的旗舰机型上都将会有1TB存储的版本,最先搭载的应该就是即将亮相的三星GalaxyS10系列。


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